硅微粉 中的碳元素主要来源：硅矿自带的碳元素、一是金属硅吹氧不充分，可能将一些碳元素带入硅材料中，除硅中的碳元素另外，在多晶硅和单晶硅微粉材料中，由于通第采用石墨加热件和

因为治金 硅微粉 材料的杂质较多，杂质成分较复杂，其中不少杂质会与氧发各种各样的复合作用，因而可能会影响硅微粉材料的寿命。而用治金法的硅材料拉单晶的时候，因为硅棒的边缘比中

由于多晶 硅微粉 材料中的杂质成分较复杂，其中不少杂质会与氧发各种各样的复合作用。比较为多人知道的是硼氧复合体，这目前被专家认为是治金法多晶硅微粉材料电池衰减的主要原因。氧

除了金属杂质外，还有非金属杂质。通常， 硅微粉 中剩余比较多的是氧、碳、氮。这些杂质在硅微粉材料中的存在，对硅材料的性质都有深刻的影响。先说氧，除了金属硅中所带来的以外，石

而对于铁，因为是过渡金属，因此，完全看不到会有什么好的作用。有研充表明：铁在 硅微粉 中。会与棚也产生类似的复合体的作用，造成少子寿命的减少，而且，研铁的相对作用：会因光照

如果 硅微粉 中有铝存在，而且浓度在0. 1ppm 以上的时候，铝会与硼一样，对电阻率的下降做出责献。假如。硅微粉中含有 0.3ppm 的硼，电阻率假如是0.5欧姆厘米，而同时又有 0.3ppm 的铝，可能会

硅微粉 的杂质过多，除了会光致衰减外，还会造成漏电流的增加。在电池的PN结附近，有一个空间电荷区，这个电荷区的电流正常情况下，应当是光生电流，即受光照后，载流子跃迁产生的电

金属杂质在 硅微粉 中会形成深能级，就是距离导带和价带都很远的能級，当杂质过多，导带和价带就会距离过远：硅微粉中金属杂质的情形与此相似，金属杂质会在硅中形成深能级，这些深能

磷和硼在 硅微粉 里是比较突出的杂质组成部分，比例恰当可以充分发挥最大导电性，同时杂质配比过多则会导致转型现象，导致电阻率下降。将纯硅微粉里掺硼的P型料，和纯硅摻杂球的N型科

对于物理法提纯的 硅微粉 来说，除了磷和硼会同时存在外，还有铁、铝、钙等金属杂质，即便是化学提纯，也能通过加工的时候混入其他杂质，也会出现复杂的情况。同时，对于一些采用电子

物理法多晶 硅微粉 ，又称UNG ，其金属杂质含量通常在几个ppm以上，以原子浓度来说，都在每立方厘米10的16次方、甚至10的17次方以上。其实，经过调查，针对硅微粉的金属杂质的表现，目前还

定向凝固可以完全消除金属杂质吗？说到 硅微粉 中金属杂质的去除，许多从事过冶金法或物理法提纯多晶硅的人都认为，通过定向凝固就可以把金属杂质消除殆尽，但是，“殆尽”是“接近没