因为治金硅微粉材料的杂质较多，杂质成分较复杂，其中不少杂质会与氧发各种各样的复合作用，因而可能会影响硅微粉材料的寿命。而用治金法的硅材料拉单晶的时候，因为硅棒的边缘比中间先结晶（在切割硅片的平面上，由于分凝效应，杂质向中部富集，导致每个硅片中都的杂质偏高。因此，硅片中的少子寿命较短，边缘的少子寿命较长。引起这种现象的杂质，应该主要是金属杂质，尤其是铁、铝、钙，以及碳。对于化学法的多晶硅微粉材料來说，因为杂质较少，因此这个现象不明显，所以没有这个现象。但是这个现象是治金法多晶硅微粉不可避免的现象，则有失准确。实际上，有学者研究过，在后续的硅料中，经过拉品切片后，就已经不存在此现象。可见，物理法多晶硅微粉也是可以避免这个现象的，关键还是在杂质是否能够充分去。
