有学者为了考察改性对氢氧化镁晶体生长的影响，对此作出研究，发现改性前后氧化镁XRD对比谱图，改性前后氢氧化镁样品在(001)面和(101)面对应的2θ衍射角与衍射峰强度基本不变。改性氢氧化镁平均晶粒尺寸均比未改性氧化镁小，分别为18.59(001)和22.93(101)这表明硅烷偶联剂在氢氧化镁晶粒生成后接枝在氢氧化镁晶粒的表面，对氢氧化镁晶粒生长有一定的遏制，但没有进入到氢氧化镁晶体的内部进而影响到其结晶行为。根据相关实验数据可知，为一步合成氢氧化镁，由于硅烷偶联剂接枝在氢氧化镁的表面，使其在干态下均匀分布，减少了粒子团聚的发生，提高了氢氧化镁的分散性。根据氢氧化镁样品的红外光谱图可以看出，改性氢氧化镁样品分别在2920cm-1和2850-1cm处出现了甲基不对称伸缩振动吸收峰和亚甲基对称伸缩振动吸收峰，硅烷偶联剂与氢氧化镁表面形成了Si-O-Mg化学键。因此，一步法表面改性后的氢氧化镁表面吸附了非极性的有机官能团，由亲水性转变为疏水性。
