为了确保较好的表面改性效果，需要确定适宜的改性温度和DOPO型硅烷偶联剂的用量。由相关实验可知，从整体复合材料的 LOI值考虑，DOPO型偶联剂的最佳用量应为3%,在偶联剂的用量大于3%时，整体中空复合材料的 LOI值减小。这是由于ATH的粒径较小而DOPO型硅烷偶联剂有机长链具有较大的位阻效应,不能够以完整的单分子层包覆在ATH表面，只能在ATH的局部表面接上有机长链来降低ATH的表面活性，从而减少 ATH之间的团聚。这种位阻效应同时也可以阻止ATH再团聚使之有利于在不饱和聚中分散，由于有机长链的位阻和长链的相互搭接，偶联剂已不可能在纳米粒子表面形成完整的单分子层包覆。当DOPO型硅烷偶联剂的用量较多时，存在的多余DOPO型硅烷偶联剂分子之间形成相互连接的吸附层，在ATH表面形成桥架，不利于接枝生成改性 ATH。
